本征半导体

本條目需要擴充。 (2012年6月15日) 请協助改善这篇條目，更進一步的信息可能會在討論頁或扩充请求中找到。请在擴充條目後將此模板移除。

本徵半導體（英语：Intrinsic semiconductor）亦稱作無雜質半導體、本質半導體，是指未摻入雜質的半導體。半導體製作過程中的一個重要步驟就是摻入雜質（doping）。

相對於無雜質半導體，含有雜質的半導體叫做雜質半導體（extrinsic semiconductor）。

参考來源

文献

• 
  Muller, Richard S.; Theodore I. Kamins. Device Electronics for Integrated Circuits 2d. New York: Wiley. 1986. ISBN 978-0-471-88758-4.  引文使用过时参数coauthors (帮助)
  


• 
  Sze, Simon M. Physics of Semiconductor Devices（2nd ed.）. John Wiley and Sons（WIE）. 1981. ISBN 978-0-471-05661-4. 
  

• 上冊：施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(上冊). 臺灣: 國立交通大學. 2008-08-01 [2008]. ISBN 978-986-843-951-1 （中文）.  引文使用过时参数coauthors (帮助)（繁体中文）
  


• 下冊：施敏; 伍國珏; 譯者：張鼎張、劉柏村. 半導體元件物理學(下冊). 臺灣: 國立交通大學. 2009-04-14 [2009]. ISBN 978-986-843-954-2 （中文）.  引文使用过时参数coauthors (帮助)（繁体中文）
  

• 
  Turley, Jim. The Essential Guide to Semiconductors. Prentice Hall PTR. 2002. ISBN 978-0-13-046404-0. 
  


• 
  Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel. Fundamentals of Semiconductors : Physics and Materials Properties. Springer. 2004. ISBN 978-3-540-41323-3. 
  


• 
  Neamen, Donald A. Semiconductor Physics and Devices: Basic Principles (3rd ed.). McGraw-Hill Higher Education. 2003. ISBN 0-07-232107-5. 
  

引用

相關參考

• N型半導體


• P型半導體

查 论 编 半导体物理学 原理 本征半导体 杂质半导体 能带结构 导带 价带 能隙 载流子 电子 空穴 施主 受主 光生伏打效应 半导体激光 霍尔效应 肖特基势垒 欧姆接触 工艺 光刻 刻蚀 掺杂 简并 离子注入 分子束外延 物理气相沉积 化学气相沉积 化学机械平坦化 SOI 器件 PN结 晶体管 二極體 發光二極管 BJT FET MOSFET CMOS 晶閘管 薄膜晶体管 太阳能电池

This page is only for reference, If you need detailed information, please check here