130纳米制程











半导体工艺
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  • 10 µm – 1971年


  • 6 µm – 1974年


  • 3 µm – 1977年


  • 1.5 µm – 1982年


  • 1 µm – 1985年


  • 800 nm – 1989年


  • 600 nm – 1994年


  • 350 nm – 1995年


  • 250 nm – 1997年


  • 180 nm – 1999年


  • 130 nm – 2001年


  • 90 nm – 2004年


  • 65 nm – 2006年


  • 45 nm – 2008年


  • 32 nm – 2010年


  • 22 nm – 2012年


  • 14 nm – 2014年


  • 10 nm – 2017年


  • 7 nm  – 2018年


  • 5 nm – 约2020年


  • 查

  • 论



130纳米制程，又稱0.13微米製程，是半导体制造制程的一个水平，大约于2000年至2001年左右达成。[1][2] 这个是由当时的领先半导体公司如英特尔、德州仪器、IBM和台積電所完成。


一些CPU最初是由这个制程所制造。其中包括英特尔奔腾III Tualatin处理器。这是第一个沟道长度小于用于光刻的光的波长的制程。



使用130纳米制程技术的处理器



  • 摩托罗拉PowerPC 7447和7457 - 2002年

  • IBM Gekko（英语：Gekko (microprocessor)）（任天堂GameCube） - 2002年10月至2003年6月

  • IBM PowerPC G5 970（英语：PowerPC G5#PowerPC 970） - 2002年10月至2003年6月

  • 英特尔奔腾3 Tualatin和Coppermine - 2001年4月

  • 英特尔赛扬 Tualatin-256 - 2001-10-02

  • 英特尔奔腾M Banias - 2003-03-12

  • 英特尔奔腾4 Northwood- 2002-01-07

  • 英特尔赛扬 Northwood-128 - 2002-09-18

  • 英特尔Xeon Prestonia和Gallatin - 2002-02-25


  • VIA C3 - 2001

  • AMD AMD Athlon Thoroughbred、Thorton和Barton

  • AMD Athlon MP Thoroughbred - 2002-08-27

  • AMD Athlon XP-M Thoroughbred、Barton和Dublin

  • AMD AMD Duron Applebred - 2003-08-21

  • AMD K7 AMD Sempron Thoroughbred-B、Thorton和Barton - 2004-07-28

  • AMD K8 AMD Sempron Paris - 2004-07-28

  • AMD AMD Athlon 64 Clawhammer和Newcastle - 2003-09-23

  • AMD Opteron Sledgehammer - 2003-06-30


  • Elbrus 2000（英语：Elbrus 2000） 1891ВМ4Я (1891VM4YA) - 2008-04-27 [3]


  • MCST-R500S（英语：MCST-R500S） 1891BM3 - 2008-07-27 [4]

  • Vortex 86SX - [5]



参考文献





  1. ^ Mueller, S. Microprocessors from 1971 to the Present. informIT. 2006-07-21 [2012-05-11]. （原始内容存档于2015-04-27）. 


  2. ^ Myslewski, R. Happy 40th birthday, Intel 4004!. TheRegister. 2011-11-15 [2015-04-19]. （原始内容存档于2015-04-27）. 


  3. ^ （俄文） Микропроцессор Эльбрус/МЦСТ. Mcst.ru. [2015-09-10]. 


  4. ^ （俄文） Микропроцессор МЦСТ R500S/МЦСТ. Mcst.ru. [2015-09-10]. （原始内容存档于2015-11-01）. 


  5. ^ CPU from DM&P. Dmp.com.tw. [2015-09-10]. 







先前
180纳米制程
半导体器件制造制程
 其後
90纳米制程



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